更小更省电 美光上市34nm工艺闪存

美国美光科技将上市集NAND闪存和内存控制电路（内存控制器）于一体的、存储容量为8GB和16GB的闪存产品。采用34nm工艺技术制造。因内置有内存控制器，所以可简化配备闪存设备的设计，主要面向便携媒体播放器等。 

该产品符合该公司加盟的业界团体“ONFI（Open NAND Flash Interface）”规定的NAND闪存接口标准“ONFI 1.0”。另外，还符合ONFI规定的“BA（块抽象）”方式。BA方式的闪存产品配备的控制器主要进行块管理、损耗平衡（Wear Leveling）和纠错码（ECC）处理等。由此消除了主控制器管理闪存的负荷。 

闪存的制程也是越来越细了，体积与功耗的控制都越来越令人满意，移动设备的便携性对此也获益良多，期待采用该闪存的东东早日上市吧。