三星8Gb OneNAND芯片 本月底量产
2010-05-09小烈MCPLive.cn
闪存制造商三星电子，日前正式宣布了采用30nm工艺级技术制造出的8Gb (Gigabit) OneNAND的芯片，该芯片主要针对电子设备和高端智能手机市场。
三星8Gb OneNAND芯片基于SLC (single-level cell) NAND闪存设计，在保证低功耗（采用低电压）的情况下，大可提供70 MB/s读入速度。而且整体30nm工艺的生产效率比此前的40nm(40-49nm)提高了40％。
三星8Gb OneNAND芯片目前已进入试产阶段，估计到本月底就会正式量产。
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